Schéma équivalent petit signal d\'un transistor à effet de champ à base de nano tube de carbone.

Abstract

Dans cet article, les auteurs présentent un schéma équivalent petit signal d\'un transistor à effet de champ à base de nano tube de carbone (CNTFETs). Les éléments du schéma équivalent sont obtenus à partir de la mesure des paramètres « scattering » S du CNTFETs pour un point de polarisation dans une gamme de fréquence au-delà du gigahertz (GHz). Le schéma équivalent présente un grand intérêt pour le développement d\'une filière de composants. Il peut être utilisé soit pour optimiser les procédés technologiques, soit pour réaliser la conception de circuits.
In this article, the authors present a small-signal equivalent circuit of carbon nanotube field- effect transistors (CNTFETs). The elements of small-signal equivalent circuit are obtained starting from the measurement of the scattering
parameters of CNTFETs for a point of polarization in a frequency band beyond the gigahertz (GHz). The equivalent circuit is of great interest for the development of a die of components. It can be used for either optimizing the technological processes, or to carry out the design of circuits.
Keywords: Schéma équivalent petit signal, CNTFETs, paramètres S. ; Small signal equivalent circuit, CNTFETs, scattering parameters.

Journal des Sciences Pour l\'Ingénieur. Vol. 9 2008: pp. 70-74