Etude du champ lointain de la double hétérostructure laser GaInAsSb/GaAlAsSb

Abstract

La théorie électromagnétique de la double hétérostructure (DH) laser
Ga1-xAlxAsySb1-y/Ga1-x’Inx’Asy’Sb1-y’/Ga1-xAlxAsySb1-y a été réalisée à partir des équations de Maxwell, Huyghens et Fraunhofer. Elle a permis d’établir l’expression du champ lointain dans le plan orthogonal à l’hétérojonction. L’optimisation de la structure laser a permis d’établir les conditions pour un meilleur couplage de la DH laser avec la fibre optique.
En particulier, nous montrons que le champ perpendiculaire dépend de la  différence d’indices Δn= (n2 – n1).

Mots-clés : Double hétérostructure, Equations de Maxwell, Diode laser, champ
lointain.