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Sep 9, 2005Keywords:
Silicium Amorphe Hydrogéné (a-Si H) Couches Minces Mercure Dépôt photo-Chimique en Phase Vapeur (photo-CVD) Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films Mercury Photo-Chemical Vapor Deposition (photo-CVD)
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On the preparation and growth of a-Si:H thin films by Hg-sensitised photoche mical vapor deposition at low temperature
Abstract
Résumé
A propos de la préparation et la croissance de couches m inces de a-Si:H à basse tem pérature par la technique Hg-Photo-CVD
La technique Photo-CVD sensibilisée au mercure (Hg-photo-CVD) est largement utilisée pour déposer des couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Cette technique présente plusieurs avantages notamment la possibilité d\'effectuer des dépôts de films sans défauts sur des substrats à basses températures. Dans cet article, nous présentons un petit rapport sur le principe et les potentialités de cette technique. Nous rappelons un certain nombre de points fondamentaux relatifs au dispositif expérimental avec les particularités et fonctionnalités des différents éléments de l\'appareillage. Nous examinons aussi quelques aspects fondamentaux de cette technique de dépôt tels que l\'analyse des réactions en phase vapeur dans le réacteur, le modèle cinétique du processus de photo-décomposition du silane ainsi que le modèle de l\'activité des réactifs en surface pendant la croissance des films.
Mots-clés : Silicium Amorphe Hydrogéné (a-Si :H), Couches Minces, Mercure, Dépôt photo-Chimique en Phase Vapeur (photo-CVD)
Abstract
Mercury-sensitized photo-CVD technique (Hg-photo-CVD) is widely used for growing amorphous silicon thin films (a-Si:H). This attractive method allows damage-free thin film depositions at very low substrate temperatures without the deleterious effects of the other processes. This review reports on the principle and potential of this technique. It also recall and summarizes some fundamental issues such experimental systems or apparatus particularities, the analysis of gas-phase reactions in the reactor, the surface reaction model of SiH3 and H during the film growth and all the kinetic model for lamp induced Photo-CVD.
Key words: Hydrogenated Amorphous Silicon, Thin Films, Mercury, Photo-Chemical Vapor Deposition (photo-CVD)
Afrique Science Vol.1(1) 2005: 15-30
A propos de la préparation et la croissance de couches m inces de a-Si:H à basse tem pérature par la technique Hg-Photo-CVD
La technique Photo-CVD sensibilisée au mercure (Hg-photo-CVD) est largement utilisée pour déposer des couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Cette technique présente plusieurs avantages notamment la possibilité d\'effectuer des dépôts de films sans défauts sur des substrats à basses températures. Dans cet article, nous présentons un petit rapport sur le principe et les potentialités de cette technique. Nous rappelons un certain nombre de points fondamentaux relatifs au dispositif expérimental avec les particularités et fonctionnalités des différents éléments de l\'appareillage. Nous examinons aussi quelques aspects fondamentaux de cette technique de dépôt tels que l\'analyse des réactions en phase vapeur dans le réacteur, le modèle cinétique du processus de photo-décomposition du silane ainsi que le modèle de l\'activité des réactifs en surface pendant la croissance des films.
Mots-clés : Silicium Amorphe Hydrogéné (a-Si :H), Couches Minces, Mercure, Dépôt photo-Chimique en Phase Vapeur (photo-CVD)
Abstract
Mercury-sensitized photo-CVD technique (Hg-photo-CVD) is widely used for growing amorphous silicon thin films (a-Si:H). This attractive method allows damage-free thin film depositions at very low substrate temperatures without the deleterious effects of the other processes. This review reports on the principle and potential of this technique. It also recall and summarizes some fundamental issues such experimental systems or apparatus particularities, the analysis of gas-phase reactions in the reactor, the surface reaction model of SiH3 and H during the film growth and all the kinetic model for lamp induced Photo-CVD.
Key words: Hydrogenated Amorphous Silicon, Thin Films, Mercury, Photo-Chemical Vapor Deposition (photo-CVD)
Afrique Science Vol.1(1) 2005: 15-30
